尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > R6020ENJTL代替型号比较

R6020ENJTL  与  AOB20S60L  区别

型号 R6020ENJTL AOB20S60L
唯样编号 A33-R6020ENJTL-0 A-AOB20S60L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 196mΩ@9.5A,10V 199mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 266W
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO263
连续漏极电流Id 20A(Tc) 20A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - AOB
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1038pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19.8nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,120 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
4+ :  ¥37.5439
10+ :  ¥19.5577
50+ :  ¥15.7727
100+ :  ¥15.0157
500+ :  ¥14.4503
1,000+ :  ¥14.0766
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 40W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥37.5439 

阶梯数 价格
4: ¥37.5439
10: ¥19.5577
50: ¥15.7727
100: ¥15.0157
500: ¥14.4503
1,000: ¥14.0766
1,120 当前型号
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W

暂无价格 0 对比
IPB65R150CFDAATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R150CFDA_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB60R160C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R160C6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 23.8A 140mΩ 20V 176W N-Channel

暂无价格 0 对比
STB25NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售