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R6018VNXC7G  与  IPAN60R210PFD7S  区别

型号 R6018VNXC7G IPAN60R210PFD7S
唯样编号 A33-R6018VNXC7G-0 A-IPAN60R210PFD7S
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 10A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 240uA 漏源导通电阻:210mΩ @ 4.9A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W (Tc) 类型:N沟道
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220FM -
连续漏极电流Id 10A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.17Ω@15V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 61W -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥14.2874
50+ :  ¥9.7454
100+ :  ¥9.18
300+ :  ¥8.8063
500+ :  ¥8.7296
1,000+ :  ¥8.6721
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥14.2874 

阶梯数 价格
20: ¥14.2874
50: ¥9.7454
100: ¥9.18
300: ¥8.8063
500: ¥8.7296
1,000: ¥8.6721
1,000 当前型号
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