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R6018VNXC7G  与  IPA60R1K5CEXKSA1  区别

型号 R6018VNXC7G IPA60R1K5CEXKSA1
唯样编号 A33-R6018VNXC7G-0 A-IPA60R1K5CEXKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 10A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode MOSFET N-CH 600V 5A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.17Ω@15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 61W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 200pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220FM TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 10A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 90uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.4nC @ 10V
工作温度 - -40°C ~ 150°C(TJ)
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.5 欧姆 @ 1.1A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥14.2874
50+ :  ¥9.7454
100+ :  ¥9.18
300+ :  ¥8.8063
500+ :  ¥8.7296
1,000+ :  ¥8.6721
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6018VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W

¥14.2874 

阶梯数 价格
20: ¥14.2874
50: ¥9.7454
100: ¥9.18
300: ¥8.8063
500: ¥8.7296
1,000: ¥8.6721
1,000 当前型号
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