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R6015ENZC17  与  R6015ENZC8  区别

型号 R6015ENZC17 R6015ENZC8
唯样编号 A33-R6015ENZC17 A3-R6015ENZC8
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 120W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 290mΩ@6.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 120W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 910pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-3PF TO-3P-3
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 15A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 290 毫欧 @ 6.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Tc) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 910pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
库存与单价
库存 30 90
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
4+ :  ¥43.9641
10+ :  ¥21.9342
30+ :  ¥18.1491
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6015ENZC17 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TO-3PF

¥43.9641 

阶梯数 价格
4: ¥43.9641
10: ¥21.9342
30: ¥18.1491
30 当前型号
R6015ENZC8 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 15A(Tc) ±20V 120W(Tc) 290mΩ@6.5A,10V 150°C(TJ) TO-3P-3

暂无价格 90 对比
R6015ENZC8 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 15A(Tc) ±20V 120W(Tc) 290mΩ@6.5A,10V 150°C(TJ) TO-3P-3

¥42.4036 

阶梯数 价格
1: ¥42.4036
100: ¥24.5093
360: ¥15.5389
30 对比

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