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R6015ENJTL  与  IPB65R225C7ATMA1  区别

型号 R6015ENJTL IPB65R225C7ATMA1
唯样编号 A33-R6015ENJTL-0 A-IPB65R225C7ATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 63W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 290mΩ@6.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 996pF @ 400V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 15A(Tc) -
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 240uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 225 毫欧 @ 4.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 11A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 910pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥8.9979
50+ :  ¥8.835
100+ :  ¥8.6625
500+ :  ¥8.6242
1,000+ :  ¥8.605
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥8.9979 

阶梯数 价格
20: ¥8.9979
50: ¥8.835
100: ¥8.6625
500: ¥8.6242
1,000: ¥8.605
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