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R6012ANX  与  AOTF12T60P  区别

型号 R6012ANX AOTF12T60P
唯样编号 A33-R6012ANX-1 A36-AOTF12T60P
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 50W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 420 毫欧 @ 6A,10V 520 mΩ @ 6A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) - 50W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3F
连续漏极电流Id 12A(Ta) 12A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
栅极电荷Qg - 50nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC -
库存与单价
库存 500 0
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
4+ :  ¥38.0134
10+ :  ¥19.7302
30+ :  ¥15.9452
50+ :  ¥15.1882
100+ :  ¥14.6228
300+ :  ¥14.2491
500+ :  ¥14.1724
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6012ANX ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥38.0134 

阶梯数 价格
4: ¥38.0134
10: ¥19.7302
30: ¥15.9452
50: ¥15.1882
100: ¥14.6228
300: ¥14.2491
500: ¥14.1724
500 当前型号
AOTF12T60P AOS  数据手册 功率MOSFET

12A(Tc) N-Channel ±30V 520 mΩ @ 6A,10V TO-220-3F 50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 600V

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