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R6011KNJTL  与  SPB11N60C3  区别

型号 R6011KNJTL SPB11N60C3
唯样编号 A33-R6011KNJTL A-SPB11N60C3
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 390mΩ@3.8A,10V 380mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 124W(Tc) 125W
Qg-栅极电荷 - 45nC
栅极电压Vgs ±20V 2.1V
正向跨导 - 最小值 - 8.3S
典型关闭延迟时间 - 44ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB -
连续漏极电流Id 11A(Tc) 11A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC3
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA 3.9V @ 500µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V 1200pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V 60nC @ 10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
5+ :  ¥32.2257
10+ :  ¥17.5933
50+ :  ¥13.8083
100+ :  ¥13.0513
500+ :  ¥12.4859
1,000+ :  ¥12.1026
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6011KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

600V 11A(Tc) ±20V 124W(Tc) 390mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥32.2257 

阶梯数 价格
5: ¥32.2257
10: ¥17.5933
50: ¥13.8083
100: ¥13.0513
500: ¥12.4859
1,000: ¥12.1026
1,000 当前型号
STB15N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥14.3352 

阶梯数 价格
4: ¥14.3352
100: ¥12.8007
1,000: ¥12.3057
2,870 对比
STB15N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
AOB11C60L AOS  数据手册 功率MOSFET

11A(Tc) N-Channel ±30V 400 mΩ @ 5.5A,10V TO-263(D?Pak) 278W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 600V

暂无价格 0 对比
SPB11N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB11N60C3ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 11A 380mΩ 2.1V 125W N-Channel

暂无价格 0 对比
STB15N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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