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R6007KNX  与  STF10NM60N  区别

型号 R6007KNX STF10NM60N
唯样编号 A33-R6007KNX A36-STF10NM60N
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 620mΩ@2.4A,10V 550mΩ@4A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 46W(Tc) 25W(Tc)
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 7A(Tc) 10A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 470pF @ 25V 540pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V 19nC @ 10V
库存与单价
库存 94 1,000
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥6.7173
50+ :  ¥6.5927
20+ :  ¥3.113
100+ :  ¥2.486
1,000+ :  ¥2.376
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6007KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

600V 7A(Tc) ±20V 46W(Tc) 620mΩ@2.4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

¥6.7173 

阶梯数 价格
30: ¥6.7173
50: ¥6.5927
94 当前型号
STF10NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 10A(Tc) ±25V 25W(Tc) 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 128,000 对比
AOTF10N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V ±30V 10A 50W 750mΩ@5A,10V -55°C~150°C

¥4.6134 

阶梯数 价格
20: ¥4.6134
1,000: ¥4.4154
1,722 对比
STF11NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 1,000 对比
STF10NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 10A(Tc) ±25V 25W(Tc) 550mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

¥3.113 

阶梯数 价格
20: ¥3.113
100: ¥2.486
1,000: ¥2.376
1,000 对比
AOTF10N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V ±30V 10A 50W 750mΩ@5A,10V -55°C~150°C

暂无价格 969 对比

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