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R6007ENX  与  FCPF850N80Z  区别

型号 R6007ENX FCPF850N80Z
唯样编号 A33-R6007ENX-0 A-FCPF850N80Z
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 620mΩ@2.4A,10V 850mΩ@3A,10V
上升时间 - 10 ns
漏源极电压Vds 600V 800V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 28.4W(Tc)
Pd - 功率消耗 - 28.4 W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 7A(Tc) 6A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
配置 - Single
Ciss - 输入电容 - 990 pF
标准断开延迟时间 - 40 ns
最低工作温度 - - 55 C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
最高工作温度 - + 150 C
Qg - 闸极充电 - 22 nC
下降时间 - 4.5 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA 4.5V @ 600µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 390pF @ 25V 1315pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V 29nC @ 10V
库存与单价
库存 212 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥5.05
50+ :  ¥4.9542
100+ :  ¥4.8583
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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