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R6007ENX  与  AOTF12T60P  区别

型号 R6007ENX AOTF12T60P
唯样编号 A33-R6007ENX-0 A-AOTF12T60P
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 620mΩ@2.4A,10V 520 mΩ @ 6A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 50W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3F
连续漏极电流Id 7A(Tc) 12A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
栅极电荷Qg - 50nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 390pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
库存与单价
库存 212 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥5.05
50+ :  ¥4.9542
100+ :  ¥4.8583
暂无价格
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