R6007ENJTL 与 STB10NK60ZT4 区别
| 型号 | R6007ENJTL | STB10NK60ZT4 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-R6007ENJTL | A-STB10NK60ZT4 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 620mΩ@2.4A,10V | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 40W(Tc) | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263-3 | ||||
| 连续漏极电流Id | 7A(Tc) | - | ||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 390pF @ 25V | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 50 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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R6007ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 7A(Tc) ±20V 40W(Tc) 620mΩ@2.4A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥14.2874
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50 | 当前型号 | ||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 16,000 | 对比 | ||||||
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STB10NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STB10NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AOB12N65L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 650V 30V 12A 278W 720mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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