R6007ENJTL 与 AOB12N65L 区别
| 型号 | R6007ENJTL | AOB12N65L | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-R6007ENJTL | A-AOB12N65L | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Crss(pF) | - | 11.5 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 620mΩ@2.4A,10V | 720mΩ@10V | ||||
| ESD Diode | - | No | ||||
| Qgd(nC) | - | 16.8 | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 30V | ||||
| Td(on)(ns) | - | 36 | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263 | ||||
| 连续漏极电流Id | 7A(Tc) | 12A | ||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||
| Ciss(pF) | - | 1792 | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 390pF @ 25V | - | ||||
| Schottky Diode | - | No | ||||
| Trr(ns) | - | 375 | ||||
| Td(off)(ns) | - | 120 | ||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 650V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 40W(Tc) | 278W | ||||
| Qrr(nC) | - | 7500 | ||||
| VGS(th) | - | 4.5 | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 10V | - | ||||
| Coss(pF) | - | 152 | ||||
| Qg*(nC) | - | 39.8 | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 50 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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R6007ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 7A(Tc) ±20V 40W(Tc) 620mΩ@2.4A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥14.2874
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50 | 当前型号 | ||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 16,000 | 对比 | ||||||
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STB10NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||
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STB11NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STB10NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AOB12N65L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 650V 30V 12A 278W 720mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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