R6004KNJTL 与 STB6NK60ZT4 区别
| 型号 | R6004KNJTL | STB6NK60ZT4 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-R6004KNJTL | A3-STB6NK60ZT4 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | STMicroelectronics | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | TO-263-3 | ||
| 功率耗散Pd | 58W(Tc) | - | ||
| 连续漏极电流Id | 4A(Tc) | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 280pF @ 25V | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 980mΩ@1.5A,10V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.2nC @ 10V | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 40 | 1,000 | ||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 5 - 7天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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R6004KNJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 4A(Tc) ±20V 58W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥4.6475
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40 | 当前型号 | ||||||
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STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | ||||||
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥6.264
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980 | 对比 | ||||||
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STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
￥4.692
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898 | 对比 | ||||||
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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