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R6004ENX  与  IPA80R1K2P7XKSA1  区别

型号 R6004ENX IPA80R1K2P7XKSA1
唯样编号 A33-R6004ENX A-IPA80R1K2P7XKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 25W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ -
上升时间 22ns -
Qg-栅极电荷 15nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 500V
栅极电压Vgs 2V -
正向跨导 - 最小值 1.5S -
封装/外壳 TO-220FP-3 TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 4A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.2 欧姆 @ 1.7A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
下降时间 40ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 40W -
典型关闭延迟时间 55ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 80uA
系列 SuperJunction-MOSEN -
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4.5A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 800V
典型接通延迟时间 22ns -
库存与单价
库存 812 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥10.3299
50+ :  ¥5.807
100+ :  ¥5.5195
500+ :  ¥5.1458
暂无价格
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