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R6004ENX  与  IPA80R1K2P7  区别

型号 R6004ENX IPA80R1K2P7
唯样编号 A33-R6004ENX A-IPA80R1K2P7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ 1.2Ω@1.7A,10V
上升时间 22ns -
漏源极电压Vds 600V 800V
Pd-功率耗散(Max) 40W 25W(Tc)
Qg-栅极电荷 15nC -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 300pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 11nC @ 10V
栅极电压Vgs 2V ±20V
典型关闭延迟时间 55ns -
正向跨导 - 最小值 1.5S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220FP-3 PG-TO220-3
连续漏极电流Id 4A 4.5A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 SuperJunction-MOSEN CoolMOS™ P7
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 40ns -
典型接通延迟时间 22ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 80µA
库存与单价
库存 812 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥8.3463
50+ :  ¥6.4203
100+ :  ¥5.7782
300+ :  ¥5.347
500+ :  ¥5.2608
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6004ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

4A 40W 900mΩ 600V 2V TO-220FP-3 -55°C~150°C N-Channel

¥8.3463 

阶梯数 价格
20: ¥8.3463
50: ¥6.4203
100: ¥5.7782
300: ¥5.347
500: ¥5.2608
812 当前型号
STP6NK60ZFP STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 40,950 对比
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IPA80R1K2P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 800V 4.5A(Tc) ±20V 25W(Tc) 1.2Ω@1.7A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3

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