首页 > 商品目录 > > > > R6004ENDTL代替型号比较

R6004ENDTL  与  IPU60R1K0CEBKMA1  区别

型号 R6004ENDTL IPU60R1K0CEBKMA1
唯样编号 A33-R6004ENDTL A-IPU60R1K0CEBKMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 20W(Tc) 37W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V 280pF @ 100V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 CPT3 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
工作温度 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA 3.5V @ 130uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 980 毫欧 @ 1.5A,10V 1 欧姆 @ 1.5A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 4A(Tc) 4.3A(Tc)
漏源电压(Vdss) 600V 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,649 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.4298
50+ :  ¥4.7242
100+ :  ¥4.1588
500+ :  ¥3.7851
1,000+ :  ¥3.7084
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥6.4298 

阶梯数 价格
30: ¥6.4298
50: ¥4.7242
100: ¥4.1588
500: ¥3.7851
1,000: ¥3.7084
1,649 当前型号
DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A

暂无价格 0 对比
IPD80R1K2P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R1K2P7ATMA1_DPAK (TO-252) 4.5A N-Channel 800V -55°C~150°C 2.5V,3.5V 1200mΩ

暂无价格 0 对比
DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A

暂无价格 0 对比
IPU60R1K0CEBKMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOD4S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售