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R6004ENDTL  与  IPU60R1K0CEBKMA1  区别

型号 R6004ENDTL IPU60R1K0CEBKMA1
唯样编号 A33-R6004ENDTL A-IPU60R1K0CEBKMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 20W(Tc) 37W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V 280pF @ 100V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 CPT3 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
工作温度 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA 3.5V @ 130uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 980 毫欧 @ 1.5A,10V 1 欧姆 @ 1.5A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 4A(Tc) 4.3A(Tc)
漏源电压(Vdss) 600V 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,699 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥4.7338
50+ :  ¥4.5038
100+ :  ¥4.2738
500+ :  ¥4.063
1,000+ :  ¥3.8618
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.7338 

阶梯数 价格
40: ¥4.7338
50: ¥4.5038
100: ¥4.2738
500: ¥4.063
1,000: ¥3.8618
1,699 当前型号
DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

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IPD80R1K2P7 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD80R1K2P7ATMA1_DPAK(TO-252)

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DPAK

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