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R6004ENDTL  与  IPD80R1K2P7  区别

型号 R6004ENDTL IPD80R1K2P7
唯样编号 A33-R6004ENDTL A-IPD80R1K2P7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 20W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1200mΩ
Rth - 3.4 K/W
RthJA max - 62.0 K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V -
RthJA max - 62.0K/W
Special Features - price/performance
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
封装/外壳 CPT3 DPAK (TO-252)
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 4.5A
QG (typ @10V) - 11.0 nC
Ptot max - 37.0W
QG - 11.0 nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 980 毫欧 @ 1.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
IDpuls max - 11.0 A
Budgetary Price €€/1k - 0.34
RthJC max - 3.4K/W
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 800V
FET类型 N 通道 N-Channel
Qgd - 4.5nC
Pin Count - 3.0 Pins
Mounting - SMT
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
RthJC max - 3.4 K/W
Ptot max - 37.0 W
25°C时电流-连续漏极(Id) 4A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,649 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.4298
50+ :  ¥4.7242
100+ :  ¥4.1588
500+ :  ¥3.7851
1,000+ :  ¥3.7084
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥6.4298 

阶梯数 价格
30: ¥6.4298
50: ¥4.7242
100: ¥4.1588
500: ¥3.7851
1,000: ¥3.7084
1,649 当前型号
DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A

暂无价格 0 对比
IPD80R1K2P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R1K2P7ATMA1_DPAK (TO-252) 4.5A N-Channel 800V -55°C~150°C 2.5V,3.5V 1200mΩ

暂无价格 0 对比
DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A

暂无价格 0 对比
IPU60R1K0CEBKMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOD4S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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