R6004ENDTL 与 IPD80R1K2P7 区别
| 型号 | R6004ENDTL | IPD80R1K2P7 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-R6004ENDTL | A-IPD80R1K2P7 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 20W(Tc) | - | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 1200mΩ | ||||||||||||
| Rth | - | 3.4 K/W | ||||||||||||
| RthJA max | - | 62.0 K/W | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 250pF @ 25V | - | ||||||||||||
| RthJA max | - | 62.0K/W | ||||||||||||
| Special Features | - | price/performance | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V,3.5V | ||||||||||||
| 封装/外壳 | CPT3 | DPAK (TO-252) | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4.5A | ||||||||||||
| QG (typ @10V) | - | 11.0 nC | ||||||||||||
| Ptot max | - | 37.0W | ||||||||||||
| QG | - | 11.0 nC | ||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 980 毫欧 @ 1.5A,10V | - | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||||||||||||
| IDpuls max | - | 11.0 A | ||||||||||||
| Budgetary Price €/1k | - | 0.34 | ||||||||||||
| RthJC max | - | 3.4K/W | ||||||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||||||
| Moisture Level | - | 1 Ohms | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||||||||||||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||||||||||||
| Qgd | - | 4.5nC | ||||||||||||
| Pin Count | - | 3.0 Pins | ||||||||||||
| Mounting | - | SMT | ||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | - | ||||||||||||
| RthJC max | - | 3.4 K/W | ||||||||||||
| Ptot max | - | 37.0 W | ||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 4A(Tc) | - | ||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 15nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,649 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥7.2923
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1,649 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMJ7N70SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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DMJ7N70SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 28W(Tc) 1.25Ω@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 3.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD4S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IPD80R900P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
900mΩ 800V 6A DPAK (TO-252) N-Channel -55°C~150°C 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IPD80R1K2P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK (TO-252) 4.5A N-Channel 800V -55°C~150°C 2.5V,3.5V 1200mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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