R6004CNDTL 与 SIHFRC20-GE3 区别
| 型号 | R6004CNDTL | SIHFRC20-GE3 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A33-R6004CNDTL | A3t-SIHFRC20-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 未分类 | 未分类 | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率 | 40W(Tc) | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.8 欧姆 @ 2A,10V | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | - | ||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A(Ta) | - | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 1mA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 280pF @ 25V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,434 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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R6004CNDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥3.5264
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2,434 | 当前型号 | |||||||||||||
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IPD80R1K4P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4Ω@1.4A,10V 800V 4A TO-252 N-Channel -55°C~150°C ±20V 32W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SIHFRC20-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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