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R6002END3TL1  与  RDD023N50TL  区别

型号 R6002END3TL1 RDD023N50TL
唯样编号 A33-R6002END3TL1 A-RDD023N50TL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.4Ω -
上升时间 16ns -
Qg-栅极电荷 6.5nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 151pF @ 25V
栅极电压Vgs 2V -
正向跨导 - 最小值 0.5S -
封装/外壳 TO-252-3 CPT3
连续漏极电流Id 1.7A -
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.4 欧姆 @ 1A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
下降时间 60ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 26W -
典型关闭延迟时间 25ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 1mA
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 2A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 500V
典型接通延迟时间 12ns -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 11nC @ 10V
库存与单价
库存 1,736 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥5.7782
50+ :  ¥4.0726
100+ :  ¥3.5072
500+ :  ¥3.1335
1,000+ :  ¥3.0568
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6002END3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

1.7A 26W 3.4Ω 600V 2V TO-252-3 -55°C~150°C

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥4.0726
100: ¥3.5072
500: ¥3.1335
1,000: ¥3.0568
1,736 当前型号
RDD023N50TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

暂无价格 0 对比

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