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R5007FNX  与  TK6A53D(STA4,Q,M)  区别

型号 R5007FNX TK6A53D(STA4,Q,M)
唯样编号 A33-R5007FNX A-TK6A53D(STA4,Q,M)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 7A TO220FM MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 40W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 525 V
Pd-功率耗散(Max) - 35W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 1.3 欧姆 @ 3A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V 600 pF @ 25 V
Vgs(th) - 4.4V @ 1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 12 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220FM TO-220SIS
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 6A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.3 欧姆 @ 3.5A,10V -
Vgs(最大值) ±30V ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 7A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 500V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
库存与单价
库存 500 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥7.8864
50+ :  ¥6.976
100+ :  ¥6.2094
500+ :  ¥6.2094
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R5007FNX ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥7.8864 

阶梯数 价格
20: ¥7.8864
50: ¥6.976
100: ¥6.2094
500: ¥6.2094
500 当前型号
STF7N52DK3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

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