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IRLZ34NSTRLPBF  与  AOB2618L  区别

型号 IRLZ34NSTRLPBF AOB2618L
唯样编号 A33-IRLZ34NSTRLPBF A-AOB2618L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 0.06 Ohm 25 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ@16A,10V 19 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),68W(Tc) 2.1W(Ta),41.5W(Tc)
栅极电压Vgs ±16V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263(D?Pak)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 30A 7A(Ta),23A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 5V -
栅极电荷Qg - 20nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 5V -
库存与单价
库存 1,600 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥12.1218
50+ :  ¥7.4072
100+ :  ¥6.8131
500+ :  ¥6.4203
1,000+ :  ¥6.3436
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLZ34NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥12.1218 

阶梯数 价格
20: ¥12.1218
50: ¥7.4072
100: ¥6.8131
500: ¥6.4203
1,000: ¥6.3436
1,600 当前型号
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阶梯数 价格
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400: ¥8.2397
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