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IRLML6346TRPBF  与  DMG3418L-7  区别

型号 IRLML6346TRPBF DMG3418L-7
唯样编号 A33-IRLML6346TRPBF A36-DMG3418L-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 63mΩ@3.4A,4.5V 60mΩ@4A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 1.4W(Ta)
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.4A 4A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 24V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF @ 24V 464.3pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC @ 4.5V 5.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC -
库存与单价
库存 5,500 28,440
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
140+ :  ¥1.1404
500+ :  ¥1.1212
1,000+ :  ¥1.1116
2,000+ :  ¥1.0829
4,000+ :  ¥1.0637
100+ :  ¥0.5395
200+ :  ¥0.3484
1,500+ :  ¥0.3029
3,000+ :  ¥0.2678
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.1404 

阶梯数 价格
140: ¥1.1404
500: ¥1.1212
1,000: ¥1.1116
2,000: ¥1.0829
4,000: ¥1.0637
5,500 当前型号
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 42,500 对比
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5395 

阶梯数 价格
100: ¥0.5395
200: ¥0.3484
1,500: ¥0.3029
3,000: ¥0.2678
28,440 对比
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 24,000 对比
DMN3112S-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 5,000 对比
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.6396 

阶梯数 价格
80: ¥0.6396
200: ¥0.4134
1,500: ¥0.3588
2,929 对比

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