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IRLML5203TRPBF  与  DMP3160L-7  区别

型号 IRLML5203TRPBF DMP3160L-7
唯样编号 A33-IRLML5203TRPBF A3-DMP3160L-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 98mΩ@3A,10V 122mΩ
上升时间 - 7.3ns
Qg-栅极电荷 - 8.2nC
栅极电压Vgs ±20V 1.3V
正向跨导 - 最小值 - 5.9S
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3A 2.7A
配置 - Single
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 13.4ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V -
高度 - 1mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 1.08W
典型关闭延迟时间 - 22.5ns
FET类型 P-Channel -
系列 HEXFET® DMP31
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V 227pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 4.8ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
库存与单价
库存 17,870 24,200
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
120+ :  ¥1.2937
500+ :  ¥1.1691
1,000+ :  ¥1.1691
2,000+ :  ¥1.1595
4,000+ :  ¥1.1595
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥1.2937 

阶梯数 价格
120: ¥1.2937
500: ¥1.1691
1,000: ¥1.1691
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120: ¥1.2937
500: ¥1.1691
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1595
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