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IRLML5203TRPBF  与  DMG2307L-7  区别

型号 IRLML5203TRPBF DMG2307L-7
唯样编号 A33-IRLML5203TRPBF A3-DMG2307L-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 0.76W
Rds On(Max)@Id,Vgs 98mΩ@3A,10V 90mΩ@2.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3A 3.8A
系列 HEXFET® DMG
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V 371.3pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V 8.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
库存与单价
库存 17,870 45,200
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
120+ :  ¥1.2937
500+ :  ¥1.1691
1,000+ :  ¥1.1691
2,000+ :  ¥1.1595
4,000+ :  ¥1.1595
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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120: ¥1.2937
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120: ¥1.2937
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1,000: ¥1.1691
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