首页 > 商品目录 > > > > IRLML2030TRPBF代替型号比较

IRLML2030TRPBF  与  DMN3110S-7  区别

型号 IRLML2030TRPBF DMN3110S-7
唯样编号 A33-IRLML2030TRPBF A36-DMN3110S-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single HexFet 30 V 1.3 W 1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@2.7A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 740mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 73mΩ@3.1mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 305.8 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 8.6 nC @ 10 V
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 2.7A 2.5A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 25µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 7 10,210
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6424
200+ :  ¥0.4901
1,500+ :  ¥0.4264
3,000+ :  ¥0.377
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 7 当前型号
DMN3110S-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 42,000 对比
DMN3110S-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.6424 

阶梯数 价格
80: ¥0.6424
200: ¥0.4901
1,500: ¥0.4264
3,000: ¥0.377
10,210 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 4 对比
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH108_SOT23

暂无价格 2 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售