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IRLB4030PBF  与  AOT292L  区别

型号 IRLB4030PBF AOT292L
唯样编号 A33-IRLB4030PBF A-AOT292L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 87 nC 370 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 32
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@110A,10V 4.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 5.3mΩ
Qgd(nC) - 13.5
栅极电压Vgs ±16V 20V
Td(on)(ns) - 20
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 180A 105A
Ciss(pF) - 6775
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11360pF @ 50V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 50
Td(off)(ns) - 48
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 370W(Tc) 300W
Qrr(nC) - 380
VGS(th) - 3.4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 11360pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 557
Qg*(nC) - 90*
库存与单价
库存 2 1,000
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥12.2449
100+ :  ¥8.8235
500+ :  ¥7.5949
1,000+ :  ¥6
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLB4030PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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TO-220

¥12.2449 

阶梯数 价格
1: ¥12.2449
100: ¥8.8235
500: ¥7.5949
1,000: ¥6
1,000 对比
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TO-220

¥11.4286 

阶梯数 价格
1: ¥11.4286
100: ¥8.2353
500: ¥7.0886
1,000: ¥5.6
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¥6.832 

阶梯数 价格
20: ¥6.832
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0 对比

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