首页 > 商品目录 > > > > IRFR9024PBF代替型号比较

IRFR9024PBF  与  IRFR9024NTRLPBF  区别

型号 IRFR9024PBF IRFR9024NTRLPBF
唯样编号 A33-IRFR9024PBF A-IRFR9024NTRLPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 0.28 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 Single P-Channel 55 V 38 W 19 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - DPAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 280mΩ@5.3A,10V 175mΩ@6.6A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),42W(Tc) 38W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 DPAK D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.8A 11A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 570pF @ 25V 350pF @ 25V
小类别 晶体管 - FET,MOSFET - 单 -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V 19nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 350pF @ 25V
零件状态 在售 -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19nC @ 10V
类别 分立半导体产品 -
库存与单价
库存 1,032 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.976
50+ :  ¥5.2704
100+ :  ¥4.705
500+ :  ¥4.3313
1,000+ :  ¥4.2546
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR9024PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),42W(Tc) 280mΩ@5.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 8.8A

¥6.976 

阶梯数 价格
30: ¥6.976
50: ¥5.2704
100: ¥4.705
500: ¥4.3313
1,000: ¥4.2546
1,032 当前型号
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥5.64 

阶梯数 价格
1: ¥5.64
100: ¥4.1778
1,000: ¥3.1333
2,500: ¥2.256
8,493 对比
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥1.452 

阶梯数 价格
40: ¥1.452
100: ¥1.122
1,128 对比
SPD09P06PLGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD09P06PL G_P 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD09P06PL G Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD09P06PLGBTMA1_60V 9.7A 250mΩ 10V 42W P-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRFR9024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A D-Pak

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售