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IRFR120ZTRPBF  与  RSD050N10TL  区别

型号 IRFR120ZTRPBF RSD050N10TL
唯样编号 A33-IRFR120ZTRPBF A33-RSD050N10TL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 IRFR120Z Series 100 V 8.7 A 190 mOhm SMT HEXFET® Power MOSFET - TO-252AA MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 15W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@5.2A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 10V -
Pd-功率耗散(Max) 35W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 530pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-253-2 CPT3
工作温度 -55°C~175°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.7A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 5,940 18,115
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥6.0465
50+ :  ¥4.2738
100+ :  ¥3.6797
500+ :  ¥3.2868
1,000+ :  ¥3.2006
2,000+ :  ¥3.1431
4,000+ :  ¥3.0952
30+ :  ¥6.2382
50+ :  ¥3.5072
100+ :  ¥3.3251
500+ :  ¥3.1047
1,000+ :  ¥2.9993
2,000+ :  ¥2.664
4,000+ :  ¥2.6544
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR120ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-253-2

¥6.0465 

阶梯数 价格
30: ¥6.0465
50: ¥4.2738
100: ¥3.6797
500: ¥3.2868
1,000: ¥3.2006
2,000: ¥3.1431
4,000: ¥3.0952
5,940 当前型号
RSD050N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥6.2382 

阶梯数 价格
30: ¥6.2382
50: ¥3.5072
100: ¥3.3251
500: ¥3.1047
1,000: ¥2.9993
2,000: ¥2.664
4,000: ¥2.6544
18,115 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
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D-Pak

暂无价格 0 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
BUK7275-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7275-100A_SOT428

¥5.6376 

阶梯数 价格
490: ¥5.6376
1,000: ¥4.3702
1,250: ¥3.5821
2,500: ¥3.2863
0 对比

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