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IRFP4310ZPBF  与  IRFP3710PBF  区别

型号 IRFP4310ZPBF IRFP3710PBF
唯样编号 A33-IRFP4310ZPBF A36-IRFP3710PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 280 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC Single N-Channel 100 V 200 W 190 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@75A,10V 25mΩ@28A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 280W(Tc) 200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247AC TO-247AC
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 134A 57A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V 3000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 190nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V 3000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 190nC @ 10V
库存与单价
库存 396 9
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
7+ :  ¥22.4133
10+ :  ¥21.1772
50+ :  ¥20.5064
100+ :  ¥19.8356
6+ :  ¥8.547
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