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IRFP3306PBF  与  IRFP064NPBF  区别

型号 IRFP3306PBF IRFP064NPBF
唯样编号 A33-IRFP3306PBF A3-IRFP064NPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 60 V 220 W 120 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247AC Single N-Channel 55 V 200 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@75A,10V 8mΩ@59A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 220W(Tc) 200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247AC TO-247AC
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 160A 110A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V 4000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V 4000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 170nC @ 10V
库存与单价
库存 800 400
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
6+ :  ¥25.6905
10+ :  ¥21.5413
50+ :  ¥19.0594
100+ :  ¥17.9383
500+ :  ¥17.5933
暂无价格
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6: ¥25.6905
10: ¥21.5413
50: ¥19.0594
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