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IRFP064NPBF  与  IRFP064N  区别

型号 IRFP064NPBF IRFP064N
唯样编号 A33-IRFP064NPBF A-IRFP064N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 200 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@59A,10V 8mΩ
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-247AC TO-247
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 110A 98A
Ptot max - 150.0W
QG - 113.3nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 0.79
RthJC max - 1.0K/W
漏源极电压Vds 55V 55V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 50.0nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 47 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥10.2532
暂无价格
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