首页 > 商品目录 > > > > IRF8010PBF代替型号比较

IRF8010PBF  与  PSMN5R6-100PS,127  区别

型号 IRF8010PBF PSMN5R6-100PS,127
唯样编号 A33-IRF8010PBF-0 A-PSMN5R6-100PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 260 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@45A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 260W(Tc) 306W
输出电容 - 561pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 80A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3830pF @ 25V -
输入电容 - 8061pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3830pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 970 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥9.7741
50+ :  ¥9.4866
100+ :  ¥9.1992
500+ :  ¥9.0075
20+ :  ¥15.5075
50+ :  ¥12.7111
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8010PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥9.7741 

阶梯数 价格
20: ¥9.7741
50: ¥9.4866
100: ¥9.1992
500: ¥9.0075
970 当前型号
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥1.7021 

阶梯数 价格
1: ¥1.7021
25: ¥1.4673
40 对比
AOT298L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO220

暂无价格 0 对比
IPP180N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP180N10N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN5R6-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R6-100PS_SOT78

¥15.5075 

阶梯数 价格
20: ¥15.5075
50: ¥12.7111
0 对比
STP60NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售