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IRF7832TRPBF  与  AO4714  区别

型号 IRF7832TRPBF AO4714
唯样编号 A33-IRF7832TRPBF A-AO4714
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@20A,10V 4.7 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~155°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A 20A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.32V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V -
栅极电荷Qg - 74nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.32V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4310pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 47 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥5.8453
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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