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IRF7495TRPBF  与  RS6P060BHTB1  区别

型号 IRF7495TRPBF RS6P060BHTB1
唯样编号 A33-IRF7495TRPBF A-RS6P060BHTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ@4.4A,10V 10.6mΩ@60A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 73W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO HSOP8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150℃
连续漏极电流Id 7.3A 60A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1530pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1530pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
库存与单价
库存 3,672 100
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥12.0835
50+ :  ¥7.5606
100+ :  ¥6.9952
500+ :  ¥6.6215
1,000+ :  ¥6.5448
2,000+ :  ¥6.4873
1+ :  ¥13.2013
100+ :  ¥6.6007
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7495TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥12.0835 

阶梯数 价格
20: ¥12.0835
50: ¥7.5606
100: ¥6.9952
500: ¥6.6215
1,000: ¥6.5448
2,000: ¥6.4873
3,672 当前型号
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥68.6675 

阶梯数 价格
3: ¥68.6675
10: ¥15.6481
50: ¥11.7193
100: ¥10.9336
500: ¥10.349
1,000: ¥9.9562
2,000: ¥9.8795
2,100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥12.0176 

阶梯数 价格
1: ¥12.0176
10: ¥11.1275
50: ¥10.3031
100: ¥9.54
100 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
100 对比

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