首页 > 商品目录 > > > > IRF1010EPBF代替型号比较

IRF1010EPBF  与  DMT6009LCT  区别

型号 IRF1010EPBF DMT6009LCT
唯样编号 A33-IRF1010EPBF A-DMT6009LCT
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@50A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 2.2W(Ta),25W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 12mΩ@13.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1925 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 33.5 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 84A 37.2A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥11.8343
50+ :  ¥7.1198
100+ :  ¥6.5257
500+ :  ¥6.1328
1,000+ :  ¥6.0561
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1010EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥11.8343 

阶梯数 价格
20: ¥11.8343
50: ¥7.1198
100: ¥6.5257
500: ¥6.1328
1,000: ¥6.0561
1,000 当前型号
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥7.711 

阶梯数 价格
7: ¥7.711
100: ¥6.523
220 对比
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.752 

阶梯数 价格
20: ¥4.752
100: ¥3.806
192 对比
PSMN015-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-60PS_SOT78

¥6.427 

阶梯数 价格
10: ¥6.427
50: ¥5.268
30 对比
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
DMT6009LCT Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售