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FMY1AT148  与  HN4B01JE(TE85L,F)  区别

型号 FMY1AT148 HN4B01JE(TE85L,F)
唯样编号 A33-FMY1AT148-0 A-HN4B01JE(TE85L,F)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 FMY1A Series 50 V 300 mA SMT NPN/PNP Emitter Common Dual Transistor- SC-74A TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 150mW -
功率 - 100mW
特征频率fT 140MHz,180MHz -
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 250mV @ 10mA,100mA
集电极-射极饱和电压 -500mV,400mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 150mA
封装/外壳 SOT-25 ESV
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
VCBO -60V,60V -
工作温度 -55℃~150℃ 150°C(TJ)
频率-跃迁 - 80MHz
VEBO -6V,7V -
集电极连续电流 -150mA,150mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 120 @ 10MA,100MA
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
直流电流增益hFE 120,120 -
集电极-发射极最大电压VCEO -50V,50V -
晶体管类型 PNP/NPN NPN,PNP(耦合发射器)
库存与单价
库存 2,740 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
160+ :  ¥0.9547
500+ :  ¥0.8652
1,000+ :  ¥0.7956
2,000+ :  ¥0.7956
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FMY1AT148 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-25 150mW PNP/NPN -50V,50V -150mA,150mA -500mV,400mV 120,120 140MHz,180MHz

¥0.9547 

阶梯数 价格
160: ¥0.9547
500: ¥0.8652
1,000: ¥0.7956
2,000: ¥0.7956
2,740 当前型号
HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba  数据手册 通用三极管

ESV NPN,PNP(耦合发射器)

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