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EMT1T2R  与  HN1A01FE-Y,LF  区别

型号 EMT1T2R HN1A01FE-Y,LF
唯样编号 A33-EMT1T2R A-HN1A01FE-Y,LF
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 EMT1 Series 50 V 150 mA SMT Dual PNP General Purpose Transistor - EMT1 TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 150mW -
功率 - 100mW
特征频率fT 140MHz -
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 10mA,100mA
集电极-射极饱和电压 -500mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 150mA
封装/外壳 SOT-563 ES6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
VCBO -60V -
工作温度 -55℃~150℃ 150°C(TJ)
频率-跃迁 - 80MHz
VEBO -6V -
集电极连续电流 -150mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 120 @ 2mA,6V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
直流电流增益hFE 120 -
集电极-发射极最大电压VCEO -50V -
晶体管类型 PNP 2 PNP(双)
库存与单价
库存 4,777 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
180+ :  ¥0.8552
500+ :  ¥0.7657
1,000+ :  ¥0.7061
2,000+ :  ¥0.7061
4,000+ :  ¥0.6862
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
EMT1T2R ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-563 150mW PNP -50V -150mA -500mV 120 140MHz

¥0.8552 

阶梯数 价格
180: ¥0.8552
500: ¥0.7657
1,000: ¥0.7061
2,000: ¥0.7061
4,000: ¥0.6862
4,777 当前型号
BC857BV-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

400mV @ 5mA,100mA 220 @ 2mA,5V SOT-563 45V 100mA 100MHz

¥0.7084 

阶梯数 价格
80: ¥0.7084
200: ¥0.5408
1,500: ¥0.4706
2,700 对比
BC857BV-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

400mV @ 5mA,100mA 220 @ 2mA,5V SOT-563 45V 100mA 100MHz

暂无价格 0 对比
HN1A01FE-Y,LF Toshiba  数据手册 通用三极管

ES6 2 PNP(双)

暂无价格 0 对比

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