EMB11T2R 与 PEMB11,115 区别
| 型号 | EMB11T2R | PEMB11,115 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-EMB11T2R-1 | A-PEMB11,115 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| R2 | 10K Ohms | - | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | 300mW | ||||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz | 180MHz | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -300mV | -150mV | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563 | SOT-666 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||||||||
| VCBO | - | -50V | ||||||||||||
| 集电极电流Ic | -100mA | -100mA | ||||||||||||
| VEBO | - | -10V | ||||||||||||
| 尺寸 | - | 1.6*1.2*0.55 | ||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | -50V | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 30 | ||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | 2PNP | ||||||||||||
| R1 | 10K Ohms | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 8,000 | 0 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 28 - 35天 | 56 - 70天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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EMB11T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA PNP |
￥1.1212
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8,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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DDA114EH-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 2PNP |
￥0.546
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2,989 | 对比 | ||||||||||||
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PEMB11,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW -50V -100mA 2PNP |
￥0.8066
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0 | 对比 | ||||||||||||
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PEMB11,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW -50V -100mA 2PNP |
￥0.5975
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0 | 对比 |
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