DTC115TETL 与 DDTC115TE-7-F 区别
| 型号 | DTC115TETL | DDTC115TE-7-F | ||||||||
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| 唯样编号 | A33-DTC115TETL | A36-DDTC115TE-7-F | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA(ICBO) | - | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||
| 功率 | 3/20W | - | ||||||||
| 特征频率fT | - | 250 MHz | ||||||||
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | 100k | - | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | 300mV | ||||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 100µA,1mA | - | ||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 100 @ 1mA,5V | - | ||||||||
| 封装/外壳 | EMT | SOT-523 | ||||||||
| 频率-跃迁 | 250MHz | - | ||||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V | - | ||||||||
| 集电极连续电流 | - | 100mA | ||||||||
| 集电极最大允许电流Ic | 100mA | - | ||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 100 | ||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | 50V | ||||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||||
| R1 | - | 100k Ohms | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,950 | 4,153 | ||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DTC115TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT NPN |
￥0.2703
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2,950 | 当前型号 | ||||||||
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DDTC115TE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-523 150mW 50V 100mA 250 MHz NPN |
￥0.1926
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4,153 | 对比 |
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