DTA114WUAT106 与 DDTA114EUA-7-F 区别
| 型号 | DTA114WUAT106 | DDTA114EUA-7-F | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-DTA114WUAT106 | A36-DDTA114EUA-7-F | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | DDTA Series 50 V 50 mA PNP Pre-Biased Small Signal Transistor - SOT-323-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SOT-323 | ||||||||
| R2 | 4.7K Ohms | 10k Ohms | ||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | 200mW | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 特征频率fT | 250MHz | 250MHz | ||||||||
| 集电极连续电流 | -100mA | -50mA | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -300mV | - | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 24 | 30 | ||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -50V | -50V | ||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||
| R1 | 10K Ohms | 10k Ohms | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 867 | 409 | ||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DTA114WUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -300mV 24 250MHz PNP |
￥0.5967
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867 | 当前型号 | ||||||||||
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DDTA114WUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
带阻/预偏置 |
￥0.3406
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2,979 | 对比 | ||||||||||
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RN2317(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 PNP 带阻/预偏置 |
￥0.4114
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2,230 | 对比 | ||||||||||
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DDTA114EUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -50mA 30 250MHz PNP |
￥0.2445
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409 | 对比 | ||||||||||
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PDTA144WU,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -150mV 60 PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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