DTA114GUAT106 与 DDTA115TUA-7-F 区别
| 型号 | DTA114GUAT106 | DDTA115TUA-7-F | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-DTA114GUAT106 | A36-DDTA115TUA-7-F | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | 200mW | ||||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz | 250 MHz | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -300mV | 300mV | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SOT-323 | ||||||||||||
| VCBO | -50V | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||
| VEBO | -5V | - | ||||||||||||
| 集电极连续电流 | -100mA | 100mA | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 100 | ||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -50V | 50V | ||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||||||
| R1 | 10K Ohms | 100k Ohms | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,890 | 3,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DTA114GUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP |
¥0.2703
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2,890 | 当前型号 | ||||||||||
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DDTA123TUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-323 200mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
¥0.213
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6,000 | 对比 | ||||||||||
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DDTA115GUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 82 SOT-323 200mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
¥0.2142
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5,849 | 对比 | ||||||||||
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DDTA115TUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-323 200mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
¥0.4225
|
3,000 | 对比 | ||||||||||
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RN2312(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 PNP 带阻/预偏置 |
¥0.4114
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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SMUN5115T1G | ON Semiconductor | BJT三极管 |
¥0.234
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3,000 | 对比 |