DTA114GUAT106 与 DDTA115GUA-7-F 区别
| 型号 | DTA114GUAT106 | DDTA115GUA-7-F | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-DTA114GUAT106 | A36-DDTA115GUA-7-F | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| R2 | - | 100k Ohms | ||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | 200mW | ||||||||
| 特征频率fT | 250MHz | 250 MHz | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -300mV | 300mV | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SOT-323 | ||||||||
| VCBO | -50V | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||
| VEBO | -5V | - | ||||||||
| 集电极连续电流 | -100mA | 100mA | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 82 | ||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -50V | 50V | ||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||
| R1 | 10K Ohms | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,890 | 5,849 | ||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DTA114GUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP |
￥0.2703
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2,890 | 当前型号 | ||||||||||
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DDTA123TUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-323 200mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
￥0.2091
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6,000 | 对比 | ||||||||||
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DDTA115GUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 82 SOT-323 200mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
￥0.2028
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5,849 | 对比 | ||||||||||
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SMUN5115T1G | ON Semiconductor | BJT三极管 |
￥0.3718
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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DDTA115TUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-323 200mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
￥0.3952
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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RN2312(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 PNP 带阻/预偏置 |
￥0.4114
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3,000 | 对比 |
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