DTA113ZETL 与 RN2114(TE85L,F) 区别
| 型号 | DTA113ZETL | RN2114(TE85L,F) | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A33-DTA113ZETL-2 | A33-RN2114(TE85L,F) | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Toshiba | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| R2 | 10K Ohms | - | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | - | ||||||||||||
| 功率 | - | 100 mW | ||||||||||||
| 特征频率fT | 250MHz | - | ||||||||||||
| 电阻器-发射极(R2) | - | 10 kOhms | ||||||||||||
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | - | 300mV @ 250uA,5mA | ||||||||||||
| 产品特性 | - | 带阻/预偏置 | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -300mV | - | ||||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 100 mA | ||||||||||||
| 电阻器-基极(R1) | - | 1 kOhms | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-416 | SSM | ||||||||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | - | 50 V | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||||
| 频率-跃迁 | - | 200 MHz | ||||||||||||
| 集电极连续电流 | -100mA | - | ||||||||||||
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | - | 50 @ 10mA,5V | ||||||||||||
| 电流-集电极截止(最大值) | - | 500nA | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 33 | - | ||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -50V | - | ||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||||||
| R1 | 1K Ohms | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 9,000 | 313 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DTA113ZETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW -50V -100mA -300mV 33 250MHz PNP |
￥0.9447
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9,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DDTA113ZE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 33 SOT-523 150mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
￥0.2232
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DDTA143ZE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
带阻/预偏置 |
￥0.1404
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2,829 | 对比 | ||||||||||||||
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RN2114(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SSM PNP 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 313 | 对比 |
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