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BR93G66FVM-3BGTTR  与  BR93G66FVJ-3BGTE2  区别

型号 BR93G66FVM-3BGTTR BR93G66FVJ-3BGTE2
唯样编号 A33-BR93G66FVM-3BGTTR A-BR93G66FVJ-3BGTE2
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 存储器 存储器
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - 8-TSSOP,8-MSOP(0.118"",3.00mm 宽)
工作温度 - -40°C ~ 85°C(TA)
技术 - EEPROM
存储器格式 - EEPROM
时钟频率 - 3MHz
存储容量 - 4Kb(256 x 16)
存储器类型 - 非易失
写周期时间-字,页 - 5ms
存储器接口 - SPI
电压-供电 - 1.7V ~ 5.5V
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BR93G66FVM-3BGTTR ROHM Semiconductor  数据手册 存储器

暂无价格 50 当前型号
BR93G66FVJ-3BGTE2 ROHM Semiconductor  数据手册 存储器

8-TSSOP,8-MSOP(0.118"",3.00mm 宽)

暂无价格 200 对比
BR93G66FVJ-3BGTE2 ROHM Semiconductor  数据手册 存储器

8-TSSOP,8-MSOP(0.118"",3.00mm 宽)

暂无价格 50 对比
BR93G66FVJ-3BGTE2 ROHM Semiconductor  数据手册 存储器

8-TSSOP,8-MSOP(0.118"",3.00mm 宽)

暂无价格 0 对比

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