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BR25G512F-3GE2  与  M95512-RMN6TP  区别

型号 BR25G512F-3GE2 M95512-RMN6TP
唯样编号 A33-BR25G512F-3GE2 A36-M95512-RMN6TP
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 存储器 存储器
描述 IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC(0.173"",4.40mm 宽) SO-8
工作温度 -40°C~85°C(TA) -
技术 EEPROM -
存储器格式 EEPROM -
时钟频率 10MHz -
存储容量 512Kb(64K x 8) -
存储器类型 非易失 -
写周期时间-字,页 5ms -
存储器接口 SPI -
电压-供电 1.8V ~ 5.5V -
库存与单价
库存 25 1
工厂交货期 28 - 35天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥8.2122
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BR25G512F-3GE2 ROHM Semiconductor  数据手册 存储器

8-SOIC(0.173"",4.40mm 宽)

¥8.2122 

阶梯数 价格
20: ¥8.2122
25 当前型号
M95512-RMN6TP STMicro  数据手册 存储器

SO-8

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M95512-RMN6TP STMicro  数据手册 存储器

SO-8

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M95512-RMN6TP STMicro  数据手册 存储器

SO-8

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