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BD5227G-2CGTR  与  TPS3808G30QDBVRQ1  区别

型号 BD5227G-2CGTR TPS3808G30QDBVRQ1
唯样编号 A33-BD5227G-2CGTR A33-TPS3808G30QDBVRQ1-99dk
制造商 ROHM Semiconductor TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SOT-23-6
工作温度 - -40°C ~ 125°C (TJ)
输出 - 开路漏极或开路集电极
复位超时 - 可调节/可选择
电压 - 阈值 - 2.79V
复位 - 低有效
受监控电压数 - 1 Ohms
FET类型 - 简单复位/加电复位
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BD5227G-2CGTR ROHM Semiconductor 未分类

暂无价格 50 当前型号
TPS3808G30QDBVRQ1 TI 未分类

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NCP308SN300T1G ON Semiconductor 未分类

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