BC857BU3HZGT106 与 BC857BU3T106 区别
| 型号 | BC857BU3HZGT106 | BC857BU3T106 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-BC857BU3HZGT106-0 | A-BC857BU3T106 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||
| 描述 | PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR ( | PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR. | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | 200mW | ||||
| 特征频率fT | 250MHz | 250MHz | ||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||
| 集电极-射极饱和电压 | -650mV | -650mV | ||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SOT-323 | ||||
| VCBO | -50V | -50V | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| VEBO | -5V | -5V | ||||
| 集电极连续电流 | -100mA | -100mA | ||||
| 直流电流增益hFE | 210 | 210 | ||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -45V | -45V | ||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 400 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC857BU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -45V -100mA -650mV 210 250MHz 车规 PNP |
¥0.6663
|
400 | 当前型号 | ||||||||||
|
BC857BU3T106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -45V -100mA -650mV 210 250MHz PNP |
¥0.6464
|
3,000 | 对比 | ||||||||||
|
BC857BU3T106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -45V -100mA -650mV 210 250MHz PNP |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||
|
BC857BU3T106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -45V -100mA -650mV 210 250MHz PNP |
暂无价格 | 17 | 对比 | ||||||||||
|
BC857BU3T106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -45V -100mA -650mV 210 250MHz PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |