BAS116HYT116 与 BAS116HYFHT116 区别
| 型号 | BAS116HYT116 | BAS116HYFHT116 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A33-BAS116HYT116 | A-BAS116HYFHT116 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用二极管 | 通用二极管 | ||||||
| 描述 | Switching Diode (Low leakage) | Low-leakage, 80V, 215mA, Single, Automotive Switching Diode | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 反向漏电流Ir | 5 nA @ 75 V | 5 nA @ 75 V | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | ||||||
| 反向电压Vr | 80 V | 80 V | ||||||
| 正向电压Vf | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | ||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||
| 二极管类型 | 标准 | 标准 | ||||||
| 正向电流If | 215mA(DC) | 215mA(DC) | ||||||
| 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | ||||||
| 工作温度-结 | 150°C | 150°C | ||||||
| 不同 Vr、F时电容 | 4pF @ 0V,1MHz | 4pF @ 0V,1MHz | ||||||
| 反向恢复时间Trr | 3 us | 3 us | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 630 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 21 - 28天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAS116HYT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用二极管 |
80 V SOT-23-3 1.25 V @ 150 mA 215mA(DC) |
￥0.7856
|
630 | 当前型号 | ||||||||||||
|
BAS116HMT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 开关二极管 |
SOT-23 |
￥0.4819
|
9,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
BAS116HYFHT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用二极管 |
80 V SOT-23-3 1.25 V @ 150 mA 215mA(DC) 车规 |
￥0.9447
|
8,841 | 对比 | ||||||||||||
|
|
BAS116HYFHT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用二极管 |
80 V SOT-23-3 1.25 V @ 150 mA 215mA(DC) 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
|
|
BAS116HMT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 开关二极管 |
SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
|
BAS116HYFHT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用二极管 |
80 V SOT-23-3 1.25 V @ 150 mA 215mA(DC) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
