ZXMN2A14FTA 与 RUR020N02TL 区别
| 型号 | ZXMN2A14FTA | RUR020N02TL | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-ZXMN2A14FTA-4 | A33-RUR020N02TL-1 | ||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | ZXMN2A14 Series 20 V 0.06 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 | RUR020N02 Series 20 V 2 A 2 nC Surface Mount N-Channel Mosfet - TSMT-3 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@3.4A,4.5V | 105mΩ@2A,4.5V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | 540mW(Ta) | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±10V | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | TSMT | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.1A | 2A | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 700mV @ 250µA | 1V @ 1mA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 544pF @ 10V | 180pF @ 10V | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.6nC @ 4.5V | 2nC @ 4.5V | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 1.5V,4.5V | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 6,000 | 5,314 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN2A14FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A |
￥0.99
|
6,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥0.88
|
105,000 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥0.9933
|
21,000 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.8974
|
19,414 | 对比 | ||||||||||||||||
|
AO3414 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C |
￥0.5819
|
6,807 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.8974
|
5,314 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
