US6K2TR 与 SIA922EDJ-T1-GE3 区别
| 型号 | US6K2TR | SIA922EDJ-T1-GE3 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-US6K2TR-1 | A3t-SIA922EDJ-T1-GE3 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 1W | 7.8W | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Vgs(th) | - | 1.4V @ 250uA | ||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TUMT | PowerPAK® SC-70-6 双 | ||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 1.4A | 4.5A | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 70pF @ 10V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2nC @ 5V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 240mΩ@1.4A,10V | 64 mOhms @ 3A,4.5V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,000 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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US6K2TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
240mΩ@1.4A,10V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 1.4A 20V |
￥4.1332
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2,000 | 当前型号 | ||||||||
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SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 64 mOhms @ 3A,4.5V 7.8W PowerPAK® SC-70-6 双 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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